시스템 교란이 나노미터 규모에 영향을 미치기 때문에 온도를 밀리켈빈(mK) 범위 내로 유지하는 것이 중요합니다. 냉각 채널과 표면 패턴을 최적화하여 표면 온도와 열 구배를 극적으로 개선하는 동시에 시간 상수를 줄입니다. 그 결과 시스템 속도와 정확도가 향상됩니다. 당사는 반도체 생산 및 응용 분야에서 다년간의 경험을 바탕으로 적층 제조를 적용하여 반도체 장비의 열 관리를 최적화하는 데 도움을 드릴 수 있습니다. 적층 제조로만 얻을 수 있는 고유한 설계를 통해 효율적으로 열을 발산하고 시스템 처리량과 정확도를 향상시키며 전반적인 성능을 향상시킬 수 있습니다.
금속 적층 제조의 이점
설계 유연성
적층 제조를 통해 최적의 설계(예: 토폴로지 최적화 사용), 신속하게 반복 및 열을 더 잘 발산하는 냉각 채널과 같은 복잡한 기능을 가진 웨이퍼 테이블을 제조할 수 있습니다.
클린룸 환경을 위한 고품질 및 정확도
당사의 금속 첨가제 솔루션은 최적의 입자 청정도를 위한 독점 공정과 결합되어 일정하고 초저산소 수준의 불활성 분위기에서 부품을 생산하여 높은 재료 품질과 부품 정확도를 보장합니다. 그 결과 클린룸 요구 사항을 충족하고 리소그래피 장비에 사용하기에 적합한 금속 부품이 생성됩니다.
성능 및 생산성
웨이퍼 테이블과 같은 중요한 반도체 장비 구성 요소의 더 나은 열 관리는 반도체 장비 정확도를 1-2nm 향상하는 동시에 속도와 처리량을 향상시킬 수 있습니다. 증가된 기계 속도와 가동 시간은 더 많은 웨이퍼를 처리하고 더 높은 전체 수명 주기 가치로 이어집니다. 적층 제조는 또한 감소된 부품 수와 어셈블리로 구조적으로 최적화된 웨이퍼 테이블을 제공합니다. 다중 부품 어셈블리를 모놀리식 부품으로 교체하면 신뢰성이 향상되고 제조 수율이 향상되며 인건비가 절감됩니다.
시간 제약을 줄이면서
표면 온도 및 열 구배 개선
83%
입증된 ΔT의 감소(13.8 ~ 2.3mK)
5X
안정화 개선 시연
반도체 장비의 열 관리 최적화
시스템 교란이 나노미터 규모에 영향을 미치기 때문에 온도를 밀리켈빈(mK) 범위 내로 유지하는 것이 중요합니다. 냉각 채널과 표면 패턴을 최적화하여 표면 온도와 열 구배를 극적으로 개선하는 동시에 시간 상수를 줄입니다. 그 결과 시스템 속도와 정확도가 향상됩니다. 당사는 반도체 생산 및 응용 분야에서 다년간의 경험을 바탕으로 적층 제조를 적용하여 반도체 장비의 열 관리를 최적화하는 데 도움을 드릴 수 있습니다. 적층 제조로만 얻을 수 있는 고유한 설계를 통해 효율적으로 열을 발산하고 시스템 처리량과 정확도를 향상시키며 전반적인 성능을 향상시킬 수 있습니다.
금속 적층 제조의 이점
설계 유연성
적층 제조를 통해 최적의 설계(예: 토폴로지 최적화 사용), 신속하게 반복 및 열을 더 잘 발산하는 냉각 채널과 같은 복잡한 기능을 가진 웨이퍼 테이블을 제조할 수 있습니다.
클린룸 환경을 위한 고품질 및 정확도
당사의 금속 첨가제 솔루션은 최적의 입자 청정도를 위한 독점 공정과 결합되어 일정하고 초저산소 수준의 불활성 분위기에서 부품을 생산하여 높은 재료 품질과 부품 정확도를 보장합니다. 그 결과 클린룸 요구 사항을 충족하고 리소그래피 장비에 사용하기에 적합한 금속 부품이 생성됩니다.
성능 및 생산성
웨이퍼 테이블과 같은 중요한 반도체 장비 구성 요소의 더 나은 열 관리는 반도체 장비 정확도를 1-2nm 향상하는 동시에 속도와 처리량을 향상시킬 수 있습니다. 증가된 기계 속도와 가동 시간은 더 많은 웨이퍼를 처리하고 더 높은 전체 수명 주기 가치로 이어집니다. 적층 제조는 또한 감소된 부품 수와 어셈블리로 구조적으로 최적화된 웨이퍼 테이블을 제공합니다. 다중 부품 어셈블리를 모놀리식 부품으로 교체하면 신뢰성이 향상되고 제조 수율이 향상되며 인건비가 절감됩니다.
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